Продукція > ROHM > RD3S075CNTL1
RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1 ROHM

rd3s075cntl1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.68 грн
500+68.10 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3S075CNTL1 ROHM

Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 190V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3S075CNTL1 за ціною від 50.56 грн до 182.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.69 грн
10+119.03 грн
100+95.65 грн
500+73.74 грн
1000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : ROHM Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf MOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.26 грн
10+110.36 грн
100+75.80 грн
500+62.80 грн
1000+54.87 грн
2500+52.23 грн
5000+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : ROHM rd3s075cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.54 грн
10+129.00 грн
100+91.68 грн
500+68.10 грн
1000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 Виробник : Rohm Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.