Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3S075CNTL1
RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor

rd3s075cntl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+117.90 грн
100+94.74 грн
500+73.04 грн
1000+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3S075CNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 190V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RD3S075CNTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 ROHM Semiconductor rd3s075cntl1-e.pdf MOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 ROHM rd3s075cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 RD3S075CNTL1 ROHM rd3s075cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 rd3s075cntl1-e.pdf
RD3S075CNTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 rd3s075cntl1-e.pdf
RD3S075CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S075CNTL1 rd3s075cntl1-e.pdf
RD3S075CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.