Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

RD3S100AAFRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3S100AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.02 грн
10+144.99 грн
100+105.85 грн
500+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3S100AAFRATL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RD3S100AAFRATL за ціною від 80.55 грн до 222.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3S100AAFRATL RD3S100AAFRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3S100AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.20 грн
10+161.02 грн
100+102.38 грн
500+94.85 грн
1000+87.32 грн
2500+81.30 грн
5000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3S100AAFRATL RD3S100AAFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3S100AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.