Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3T050CNTL1
RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3T050CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+88.28 грн
100+68.84 грн
500+53.37 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3T050CNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V, Verlustleistung: 29W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm.

Інші пропозиції RD3T050CNTL1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3T050CNTL1 RD3T050CNTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3T050CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 200V 5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T050CNTL1 RD3T050CNTL1 ROHM rd3t050cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T050CNTL1 RD3T050CNTL1 ROHM rd3t050cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T050CNTL1 datasheet?p=RD3T050CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3T050CNTL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 200V 5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T050CNTL1 rd3t050cntl1-e.pdf
RD3T050CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T050CNTL1 rd3t050cntl1-e.pdf
RD3T050CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.