RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3T100CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.60 грн
5000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RD3T100CNTL1 за ціною від 39.49 грн до 160.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3T100CNTL1 RD3T100CNTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3T100CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
10+101.62 грн
100+59.99 грн
500+47.91 грн
1000+44.18 грн
2500+39.76 грн
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T100CNTL1 RD3T100CNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3T100CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.17 грн
100+67.54 грн
500+50.65 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T100CNTL1 datasheet?p=RD3T100CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.27 грн
10+101.62 грн
100+59.99 грн
500+47.91 грн
1000+44.18 грн
2500+39.76 грн
5000+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3T100CNTL1 datasheet?p=RD3T100CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.76 грн
10+99.17 грн
100+67.54 грн
500+50.65 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.