Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RD3U060CNTL1
RD3U060CNTL1

RD3U060CNTL1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.64 грн
10+70.29 грн
100+54.73 грн
500+43.51 грн
1000+41.88 грн
2500+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3U060CNTL1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm.

Інші пропозиції RD3U060CNTL1 за ціною від 46.37 грн до 149.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.19 грн
10+91.64 грн
50+69.30 грн
100+58.26 грн
500+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 ROHM rd3u060cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U060CNTL1 RD3U060CNTL1 ROHM rd3u060cntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U060CNTL1 datasheet?p=RD3U060CN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3U060CNTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.19 грн
10+91.64 грн
50+69.30 грн
100+58.26 грн
500+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U060CNTL1 rd3u060cntl1-e.pdf
RD3U060CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U060CNTL1 rd3u060cntl1-e.pdf
RD3U060CNTL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.