RD3U080AAFRATL

RD3U080AAFRATL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RD3U080AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
на замовлення 1740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.87 грн
10+150.46 грн
100+120.91 грн
500+93.23 грн
1000+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RD3U080AAFRATL Rohm Semiconductor

Description: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RD3U080AAFRATL за ціною від 63.92 грн до 197.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RD3U080AAFRATL RD3U080AAFRATL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3U080AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 250V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.07 грн
10+145.48 грн
100+92.27 грн
500+74.04 грн
1000+68.24 грн
2500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RD3U080AAFRATL RD3U080AAFRATL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3U080AAFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.