RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.13 грн |
| 6000+ | 2.85 грн |
| 9000+ | 2.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RE1C001ZPTL за ціною від 2.15 грн до 19.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC89 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -400mA Drain current: -100mA Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 3.8Ω Gate-source voltage: ±10V |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C001ZPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
на замовлення 14516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC89 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -400mA Drain current: -100mA Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 3.8Ω Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C001ZPTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET |
на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|