Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RE1C001ZPTL
RE1C001ZPTL

RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.80 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm.

Інші пропозиції RE1C001ZPTL за ціною від 2.31 грн до 19.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W
Version: ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -400mA
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Drain current: -100mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC89
On-state resistance: 3.8Ω
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.42 грн
39+11.10 грн
59+7.18 грн
100+5.90 грн
395+2.45 грн
1087+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 17497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.00 грн
28+11.06 грн
50+7.87 грн
100+6.42 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
17+19.18 грн
27+11.48 грн
100+4.73 грн
1000+3.90 грн
3000+2.78 грн
9000+2.55 грн
24000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL ROHM datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL ROHM datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -400mA; 0.15W
Version: ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -400mA
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Drain current: -100mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC89
On-state resistance: 3.8Ω
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.42 грн
39+11.10 грн
59+7.18 грн
100+5.90 грн
395+2.45 грн
1087+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 17497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.00 грн
28+11.06 грн
50+7.87 грн
100+6.42 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.18 грн
27+11.48 грн
100+4.73 грн
1000+3.90 грн
3000+2.78 грн
9000+2.55 грн
24000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RE1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 3.8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.