Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RE1C002UNTCL
RE1C002UNTCL

RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

re1c002untcl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.80 грн
6000+1.66 грн
9000+1.53 грн
15000+1.34 грн
21000+1.23 грн
30000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RE1C002UNTCL за ціною від 1.88 грн до 16.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3580+3.40 грн
42000+3.11 грн
63000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 26261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3312+3.68 грн
3410+3.57 грн
5000+3.47 грн
10000+3.26 грн
25000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3312
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.30 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 242862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2165+5.62 грн
2891+4.21 грн
3000+4.07 грн
6000+2.96 грн
12000+2.30 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 2165
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR re1c002untcl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.16 грн
40+9.74 грн
49+8.04 грн
79+4.92 грн
100+3.97 грн
355+2.55 грн
500+2.48 грн
976+2.41 грн
1000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 387406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.45 грн
38+8.35 грн
100+3.46 грн
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.57 грн
82+10.16 грн
131+6.36 грн
500+4.30 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR re1c002untcl-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 0.15W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.99 грн
24+12.14 грн
29+9.65 грн
50+5.90 грн
100+4.76 грн
355+3.06 грн
500+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL Виробник : Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Виробник : ROHM Semiconductor re1c002untcl-e.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.