Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RE1C002UNTCL
RE1C002UNTCL

RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

re1c002untcl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 804000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.94 грн
6000+2.53 грн
9000+2.37 грн
15000+2.06 грн
21000+1.97 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RE1C002UNTCL за ціною від 2.19 грн до 14.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+3.95 грн
42000+3.61 грн
63000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 26261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+4.27 грн
3410+4.15 грн
5000+4.04 грн
10000+3.79 грн
25000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 242862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2165+6.53 грн
2891+4.89 грн
3000+4.73 грн
6000+3.44 грн
12000+2.67 грн
24000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 2165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 806032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM Semiconductor re1c002untcl-e.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM re1c002untcl-e.pdf Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL ROHM - Japan re1c002untcl-e.pdf MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 SC-89, SOT-490 RE1C002UNTCL TRE1c002untcl
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3580+3.95 грн
42000+3.61 грн
63000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 26261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3312+4.27 грн
3410+4.15 грн
5000+4.04 грн
10000+3.79 грн
25000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 242862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2165+6.53 грн
2891+4.89 грн
3000+4.73 грн
6000+3.44 грн
12000+2.67 грн
24000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 2165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1250+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 806032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
Виробник: ROHM - Japan
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3 SC-89, SOT-490 RE1C002UNTCL TRE1c002untcl
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.