RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor


re1c002untcl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 822000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.88 грн
6000+2.48 грн
9000+2.33 грн
15000+2.02 грн
21000+1.93 грн
30000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RE1C002UNTCL за ціною від 1.93 грн до 14.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL ROHM Semiconductor re1c002untcl-e.pdf MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
38+8.42 грн
100+4.56 грн
500+3.31 грн
1000+2.90 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 822396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.85 грн
38+8.42 грн
100+4.56 грн
500+3.31 грн
1000+2.90 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 822396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.76 грн
36+8.45 грн
100+5.24 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 0,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 25 @ 10, Rds = 1,2 Ом @ 100 мА, 2,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.