RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 512100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.80 грн |
| 6000+ | 1.69 грн |
| 9000+ | 1.66 грн |
| 15000+ | 1.46 грн |
| 21000+ | 1.28 грн |
| 30000+ | 1.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RE1C002UNTCL за ціною від 1.54 грн до 19.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 32111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C002UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 512187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 61790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RE1C002UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RE1C002UNTCL SMD N channel transistors |
на замовлення 3715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RE1C002UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
товару немає в наявності |