Продукція > ROHM > RE1E002SPTCL
RE1E002SPTCL

RE1E002SPTCL ROHM


datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.98 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1E002SPTCL ROHM

Description: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RE1E002SPTCL за ціною від 2.97 грн до 29.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Виробник : ROHM datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RE1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+17.00 грн
73+11.31 грн
162+5.12 грн
500+3.98 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
26+11.88 грн
100+7.42 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.01 грн
15+23.27 грн
100+10.81 грн
500+7.14 грн
1000+4.86 грн
3000+4.27 грн
6000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RE1E002SPTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.