RE1J002YNTCL

RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.03 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
15000+3.61 грн
21000+3.45 грн
30000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RE1J002YNTCL за ціною від 3.31 грн до 27.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RE1J002YNTCL RE1J002YNTCL Виробник : ROHM datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.21 грн
500+7.28 грн
1000+5.16 грн
5000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL RE1J002YNTCL Виробник : ROHM datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RE1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.05 грн
63+13.12 грн
137+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL RE1J002YNTCL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 42469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
22+14.18 грн
100+8.86 грн
500+6.14 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL RE1J002YNTCL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Small Signal MOSFET N-CH .9V Drive .2A
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.98 грн
17+20.39 грн
100+6.62 грн
1000+5.15 грн
3000+3.97 грн
9000+3.46 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RE1J002YNTCL SMD N channel transistors
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.82 грн
303+3.56 грн
832+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.