
RF081L2STE25 Rohm Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1388+ | 8.77 грн |
1510+ | 8.07 грн |
1557+ | 7.82 грн |
1617+ | 7.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF081L2STE25 Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: PMDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RF081L2STE25 за ціною від 15.65 грн до 16.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
RF081L2STE25 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
RF081L2STE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
RF081L2STE25 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |