
RF081L2STFTE25 Rohm Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 14.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF081L2STFTE25 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF081L2STFTE25 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1.1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-106, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RF081L2STFTE25 за ціною від 9.64 грн до 54.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.1A Supplier Device Package: PMDS Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-106 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
RF081L2STFTE25 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
RF081L2STFTE25 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |