RF081LAM2STR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 871+ | 16.26 грн |
| 903+ | 15.67 грн |
| 1000+ | 15.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF081LAM2STR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RF081LAM2STR за ціною від 6.85 грн до 30.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RF081LAM2STR | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RF081LAM2STR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTMCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PMDTM Current - Average Rectified (Io): 1.1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RF081LAM2STR | ROHM Semiconductor |
Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RF081LAM2STR | ROHM |
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RF081LAM2STR | ROHM |
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RF081LAM2STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R
Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 737+ | 19.22 грн |
| 795+ | 17.80 грн |
| RF081LAM2STR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDTM
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDTM
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.22 грн |
| 15+ | 21.04 грн |
| 100+ | 10.59 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 6.85 грн |
| RF081LAM2STR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode
Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RF081LAM2STR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RF081LAM2STR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





