Продукція > ROHM > RF081LAM2STR
RF081LAM2STR

RF081LAM2STR ROHM


rf081lam2s-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.37 грн
113+7.35 грн
500+6.68 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF081LAM2STR ROHM

Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RF081LAM2STR за ціною від 5.52 грн до 34.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : Rohm Semiconductor rf081lam2s-e.pdf Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
871+14.02 грн
903+13.52 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 871
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : Rohm Semiconductor rf081lam2s-e.pdf Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
737+16.58 грн
795+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 737
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : ROHM rf081lam2s-e.pdf Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.98 грн
62+13.37 грн
113+7.35 грн
500+6.68 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF081LAM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
15+21.61 грн
100+10.87 грн
500+9.04 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF081LAM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
14+24.20 грн
100+9.42 грн
1000+7.36 грн
3000+6.33 грн
9000+5.59 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF081LAM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF081LAM2STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF081LAM2STR RF081LAM2STR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF081LAM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.