Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF08L6STE25
RF08L6STE25

RF08L6STE25 ROHM Semiconductor

RF08L6S.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Rectifiers DIODE FAST REC 600V 0.8A SOD-106
на замовлення 971 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.03 грн
10+33.48 грн
100+18.66 грн
500+14.14 грн
1000+11.29 грн
1500+9.33 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF08L6STE25 ROHM Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 800mA, Supplier Device Package: PMDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції RF08L6STE25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF08L6STE25 RF08L6STE25 Rohm Semiconductor RF08L6S.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF08L6STE25 RF08L6STE25 Rohm Semiconductor RF08L6S.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF08L6STE25 RF08L6S.pdf
RF08L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF08L6STE25 RF08L6S.pdf
RF08L6STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.