
RF1001NS2DTL Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 45.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF1001NS2DTL Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції RF1001NS2DTL за ціною від 44.21 грн до 169.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RF1001NS2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RF1001NS2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RF1001NS2DTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RF1001NS2DTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|