Продукція > ROHM > RF101L2S-TE25

RF101L2S-TE25 ROHM


Виробник: ROHM

на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF101L2S-TE25 ROHM

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: PMDS, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RF101L2S-TE25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF101L2STE25 RF101L2STE25 Rohm Semiconductor rf101l2sdd-e.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2STE25 RF101L2STE25 Rohm Semiconductor rf101l2sdd-e.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2STE25 RF101L2STE25 ROHM Semiconductor rf101l2sdd-e.pdf Rectifiers FAST REC 200V 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2STE25 rf101l2sdd-e.pdf
RF101L2STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2STE25 rf101l2sdd-e.pdf
RF101L2STE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF101L2STE25 rf101l2sdd-e.pdf
RF101L2STE25
Виробник: ROHM Semiconductor
Rectifiers FAST REC 200V 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.