RF1S22N10SM Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 381+ | 59.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF1S22N10SM Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, Supplier Device Package: TO-263AB, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції RF1S22N10SM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RF1S22N10SM |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
RF1S22N10SM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET |
товару немає в наявності |