RF1S22N10SM Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 381+ | 58.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF1S22N10SM Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AB, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції RF1S22N10SM за ціною від 90.66 грн до 109.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RF1S22N10SM | Виробник : HARRIS |
RF1S22N10SM |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RF1S22N10SM | Виробник : HARRIS |
RF1S22N10SM |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RF1S22N10SM |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |