RF1S23N06LE

RF1S23N06LE Harris Corporation


INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
423+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF1S23N06LE Harris Corporation

Description: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RF1S23N06LE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF1S23N06LE INSLS12758-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.