RF1S45N02LSM Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
592+ | 33.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF1S45N02LSM Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A, Supplier Device Package: TO-263AB, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V.
Інші пропозиції RF1S45N02LSM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RF1S45N02LSM |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |