RF2L16180CB4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V B4E
Current - Test: 600 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: B4E
Technology: LDMOS
Gain: 14dB
Power - Output: 180W
Frequency: 1.6GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: B4E
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10450.01 грн |
| 10+ | 9586.48 грн |
| 25+ | 9382.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF2L16180CB4 STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V B4E, Current - Test: 600 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: B4E, Technology: LDMOS, Gain: 14dB, Power - Output: 180W, Frequency: 1.6GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 1µA, Package / Case: B4E, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RF2L16180CB4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RF2L16180CB4 | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RF2L16180CB4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)