RF3L05150CB4 STMicroelectronics


rf3l05150cb4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V LBB
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 90 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LBB
Technology: LDMOS
Gain: 23dB
Power - Output: 150W
Frequency: 1GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 2.5A
Package / Case: LBB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13233.39 грн
10+11024.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF3L05150CB4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - RF3L05150CB4 - HF-FET-Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Betriebsfrequenz, max.: 1GHz, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LBB, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції RF3L05150CB4 за ціною від 13138.27 грн до 13585.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF3L05150CB4 RF3L05150CB4 STMICROELECTRONICS 4106272.pdf Description: STMICROELECTRONICS - RF3L05150CB4 - HF-FET-Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LBB
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF3L05150CB4 STMicroelectronics rf3l05150cb4.pdf Trans RF MOSFET 90V 2.5A 5-Pin LBB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13585.15 грн
10+13361.24 грн
25+13138.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF3L05150CB4 STMicroelectronics rf3l05150cb4.pdf Trans RF MOSFET 90V 2.5A 5-Pin LBB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13585.15 грн
10+13361.24 грн
25+13138.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF3L05150CB4 4106272.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - RF3L05150CB4 - HF-FET-Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebsfrequenz, max.: 1GHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LBB
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF3L05150CB4 rf3l05150cb4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET 90V 2.5A 5-Pin LBB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13585.15 грн
10+13361.24 грн
25+13138.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF3L05150CB4 rf3l05150cb4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans RF MOSFET 90V 2.5A 5-Pin LBB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13585.15 грн
10+13361.24 грн
25+13138.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.