Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4C050APTR
RF4C050APTR

RF4C050APTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4C050APTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF4C050APTR за ціною від 16.91 грн до 60.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+31.57 грн
387+31.48 грн
500+24.59 грн
1000+21.36 грн
3000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+38.69 грн
328+37.14 грн
500+35.80 грн
1000+33.40 грн
2500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
280+43.58 грн
291+41.83 грн
500+40.32 грн
1000+37.61 грн
2500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.16 грн
10+44.07 грн
100+28.80 грн
500+20.88 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.36 грн
10+50.65 грн
100+29.17 грн
500+22.79 грн
1000+20.46 грн
3000+17.78 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -20A; 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DFN2020-8S
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -20A; 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DFN2020-8S
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.