RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 361+ | 39.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
361 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RF4C100BCTCR за ціною від 26.03 грн до 98.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 77.40 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.66 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 161+ | 88.66 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.47 грн |
| 10+ | 54.15 грн |
| 100+ | 35.67 грн |
| 500+ | 26.03 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 98.72 грн |