Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4C100BCTCR
RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor

rf4c100bctcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+39.51 грн
314+39.35 грн
500+31.45 грн
1000+26.99 грн
3000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF4C100BCTCR за ціною від 19.96 грн до 84.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c100bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.82 грн
10+52.38 грн
100+34.86 грн
500+25.44 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.00 грн
10+59.49 грн
100+34.97 грн
500+27.35 грн
1000+24.84 грн
3000+22.86 грн
6000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c100bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.