Технічний опис RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RF4C100BCTCR за ціною від 26.16 грн до 98.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RF4C100BCTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RF4C100BCTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive) |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.89 грн |
| 10+ | 54.40 грн |
| 100+ | 35.84 грн |
| 500+ | 26.16 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 98.06 грн |
| RF4C100BCTCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)