RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 407+ | 29.94 грн |
| 424+ | 28.74 грн |
| 500+ | 27.71 грн |
| 1000+ | 25.84 грн |
| 2500+ | 23.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E060AJTCR за ціною від 14.97 грн до 50.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E060AJTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET RF4E060AJ is low on-resistance and ?igh power small mold package MOSFET for switching application. |
на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E060AJTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E060AJTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |