RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 618+ | 20.15 грн |
| 641+ | 19.42 грн |
| 1000+ | 18.78 грн |
| 2500+ | 17.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RF4E070BNTR1 за ціною від 13.19 грн до 64.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E070BNTR1 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RF4E070BNTR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RF4E070BNTR1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0286 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0286ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|