RF4E070GNTR

RF4E070GNTR Rohm Semiconductor


rf4e070gntr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
524+23.33 грн
543+22.49 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 524
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E070GNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E070GNTR за ціною від 8.75 грн до 53.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
12+29.10 грн
100+17.66 грн
500+13.76 грн
1000+11.26 грн
3000+9.42 грн
9000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+31.88 грн
100+20.51 грн
500+14.63 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.