Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E080BNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E080BNTR за ціною від 18.57 грн до 81.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E080BNTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-8S Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 14.5nC On-state resistance: 17.6mΩ Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RF4E080BNTR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 5480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RF4E080BNTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RF4E080BNTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 6862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RF4E080BNTR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| RF4E080BNTR |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
On-state resistance: 17.6mΩ
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 46.43 грн |
| 12+ | 35.98 грн |
| 100+ | 25.37 грн |
| 500+ | 20.15 грн |
| 1000+ | 18.57 грн |
| RF4E080BNTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 266+ | 66.76 грн |
| RF4E080BNTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.37 грн |
| 10+ | 49.03 грн |
| 100+ | 32.19 грн |
| 500+ | 23.39 грн |
| 1000+ | 21.20 грн |
| RF4E080BNTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RF4E080BNTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)