на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 392+ | 31.15 грн |
| 500+ | 25.78 грн |
| 1000+ | 23.51 грн |
| 3000+ | 19.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E080BNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E080BNTR за ціною від 13.64 грн до 56.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RF4E080BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E080BNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E080BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E080BNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 6887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E080BNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E080BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
RF4E080BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |