Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E080BNTR
RF4E080BNTR

RF4E080BNTR Rohm Semiconductor

rf4e080bn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
629+19.42 грн
632+19.32 грн
774+15.76 грн
1000+14.22 грн
2000+13.07 грн
3000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E080BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E080BNTR за ціною від 16.09 грн до 61.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e080bn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
521+23.46 грн
540+22.61 грн
1000+21.87 грн
2500+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 521
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.91 грн
10+40.62 грн
100+27.94 грн
500+21.91 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.73 грн
10+47.49 грн
100+28.43 грн
500+22.62 грн
1000+20.69 грн
3000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF4E080BNTR SMD N channel transistors
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.11 грн
65+17.02 грн
177+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.