Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E080GNTR
RF4E080GNTR

RF4E080GNTR Rohm Semiconductor

rf4e080gntr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+24.10 грн
546+23.23 грн
1000+22.47 грн
2500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E080GNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E080GNTR за ціною від 9.93 грн до 61.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.55 грн
11+32.68 грн
100+21.06 грн
500+15.05 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.63 грн
11+35.35 грн
100+20.17 грн
500+15.37 грн
1000+13.61 грн
3000+12.41 грн
6000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF4E080GNTR SMD N channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.42 грн
55+21.81 грн
151+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.