RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: HUML2020L8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V.
Інші пропозиції RF4E100AJTCR за ціною від 25.95 грн до 100.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E100AJTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RF4E100AJTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RF4E100AJTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V |
на замовлення 5875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RF4E100AJTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET |
на замовлення 5746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RF4E100AJTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 280+ | 50.65 грн |
| 291+ | 48.63 грн |
| 500+ | 46.87 грн |
| 1000+ | 43.72 грн |
| RF4E100AJTCR |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.97 грн |
| 10+ | 53.81 грн |
| 100+ | 35.82 грн |
| 500+ | 28.36 грн |
| 1000+ | 25.95 грн |
| RF4E100AJTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.74 грн |
| 10+ | 60.74 грн |
| 100+ | 40.27 грн |
| 500+ | 29.53 грн |
| 1000+ | 26.87 грн |
| RF4E100AJTCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
MOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)