Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E100AJTCR
RF4E100AJTCR

RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E100AJTCR за ціною від 18.73 грн до 108.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor rf4e100ajtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
On-state resistance: 12.4mΩ
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.99 грн
10+56.04 грн
48+19.89 грн
131+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+60.46 грн
100+40.09 грн
500+29.39 грн
1000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor rf4e100ajtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+108.36 грн
10+50.13 грн
100+38.76 грн
500+30.35 грн
1000+29.98 грн
3000+24.06 грн
6000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor rf4e100ajtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR rf4e100ajtcr-e.pdf
RF4E100AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E100AJTCR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-8S
On-state resistance: 12.4mΩ
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.99 грн
10+56.04 грн
48+19.89 грн
131+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E100AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.27 грн
10+60.46 грн
100+40.09 грн
500+29.39 грн
1000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR rf4e100ajtcr-e.pdf
RF4E100AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E100AJTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 10A Si MOSFET
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.36 грн
10+50.13 грн
100+38.76 грн
500+30.35 грн
1000+29.98 грн
3000+24.06 грн
6000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR rf4e100ajtcr-e.pdf
RF4E100AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.