RF4E110BNTR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 515+ | 27.49 грн |
| 534+ | 26.50 грн |
| 1000+ | 25.64 грн |
| 2500+ | 23.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E110BNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E110BNTR за ціною від 21.99 грн до 99.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E110BNTR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RF4E110BNTR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 6210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RF4E110BNTR | ROHM Semiconductor |
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RF4E110BNTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.72 грн |
| 10+ | 46.34 грн |
| 100+ | 30.33 грн |
| 500+ | 21.99 грн |
| RF4E110BNTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 99.00 грн |
| RF4E110BNTR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)