Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E110BNTR
RF4E110BNTR

RF4E110BNTR Rohm Semiconductor

rf4e110bn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1112+10.95 грн
1154+10.55 грн
1177+10.35 грн
2000+9.88 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 1112
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E110BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E110BNTR за ціною від 16.07 грн до 73.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e110bn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
418+29.15 грн
436+27.98 грн
500+26.97 грн
1000+25.16 грн
2500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 418
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.57 грн
10+44.82 грн
100+27.01 грн
500+22.60 грн
1000+19.60 грн
3000+17.10 грн
6000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+44.57 грн
100+29.13 грн
500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.