RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E110GNTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RF4E110GNTR за ціною від 10.72 грн до 31.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E110GNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V |
на замовлення 6391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 5068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4E110GNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RF4E110GNTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RF4E110GNTR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |