Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E110GNTR
RF4E110GNTR

RF4E110GNTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.05 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E110GNTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.

Інші пропозиції RF4E110GNTR за ціною від 11.48 грн до 63.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.53 грн
537+26.53 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 9268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.62 грн
10+35.36 грн
100+22.85 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+63.82 грн
11+28.85 грн
100+22.16 грн
500+16.89 грн
1000+15.94 грн
3000+13.02 грн
9000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM rf4e110gntr-e.pdf Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR ROHM rf4e110gntr-e.pdf Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
518+27.53 грн
537+26.53 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 9268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.62 грн
10+35.36 грн
100+22.85 грн
500+16.40 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.82 грн
11+28.85 грн
100+22.16 грн
500+16.89 грн
1000+15.94 грн
3000+13.02 грн
9000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR rf4e110gntr-e.pdf
RF4E110GNTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0113 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.