RF4E110GNTR

RF4E110GNTR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E110GNTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HUML2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RF4E110GNTR за ціною від 10.79 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Виробник : ROHM datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.62 грн
500+15.75 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e110gntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
444+27.43 грн
463+26.33 грн
500+25.38 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 444
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
15+20.64 грн
100+16.93 грн
500+12.80 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Виробник : ROHM datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4E110GNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0087 ohm, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.89 грн
33+25.19 грн
100+17.62 грн
500+15.75 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.22 грн
13+28.11 грн
100+17.32 грн
500+11.89 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF4E110GNTR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.