Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4G060ATTCR
RF4G060ATTCR

RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.04 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції RF4G060ATTCR за ціною від 21.52 грн до 94.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor rf4g060attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.83 грн
425+33.35 грн
426+33.24 грн
505+27.05 грн
1000+23.68 грн
2000+22.63 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor rf4g060attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.57 грн
355+39.90 грн
500+38.46 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor rf4g060attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.90 грн
298+47.62 грн
500+37.90 грн
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
10+56.94 грн
100+37.63 грн
500+27.51 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR rf4g060attcr-e.pdf
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+35.83 грн
425+33.35 грн
426+33.24 грн
505+27.05 грн
1000+23.68 грн
2000+22.63 грн
3000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR rf4g060attcr-e.pdf
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+41.57 грн
355+39.90 грн
500+38.46 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR rf4g060attcr-e.pdf
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
296+47.90 грн
298+47.62 грн
500+37.90 грн
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G060ATTCR datasheet?p=RF4G060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
10+56.94 грн
100+37.63 грн
500+27.51 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.