Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR

RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.44 грн
100+40.02 грн
500+29.34 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm.

Інші пропозиції RF4G100BGTCR за ціною від 128.23 грн до 128.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor rf4g100bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR ROHM datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor rf4g100bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR ROHM datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR rf4g100bgtcr-e.pdf
RF4G100BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+128.23 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G100BGTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G100BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR rf4g100bgtcr-e.pdf
RF4G100BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G100BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4G100BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.0142 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0109ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.