Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4L040ATTCR
RF4L040ATTCR

RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm.

Інші пропозиції RF4L040ATTCR за ціною від 22.09 грн до 102.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+47.18 грн
304+46.99 грн
500+37.97 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor rf4l040attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.10 грн
10+56.82 грн
50+42.23 грн
100+35.21 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+102.39 грн
10+46.85 грн
100+36.20 грн
500+28.23 грн
1000+27.50 грн
3000+22.31 грн
6000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR ROHM rf4l040attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR RF4L040ATTCR ROHM rf4l040attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
302+47.18 грн
304+46.99 грн
500+37.97 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.10 грн
10+56.82 грн
50+42.23 грн
100+35.21 грн
500+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR datasheet?p=RF4L040AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L040ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+102.39 грн
10+46.85 грн
100+36.20 грн
500+28.23 грн
1000+27.50 грн
3000+22.31 грн
6000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L040ATTCR rf4l040attcr-e.pdf
RF4L040ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.089 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.