Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4L055GNTCR
RF4L055GNTCR

RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.24 грн
6000+24.34 грн
9000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RF4L055GNTCR за ціною від 27.01 грн до 103.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor rf4l055gntcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+43.21 грн
354+41.48 грн
500+39.98 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 5.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+66.45 грн
10+59.61 грн
100+36.26 грн
500+29.79 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.95 грн
10+63.57 грн
100+42.13 грн
500+30.92 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR rf4l055gntcr-e.pdf
RF4L055GNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+43.21 грн
354+41.48 грн
500+39.98 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L055GNTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 5.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.45 грн
10+59.61 грн
100+36.26 грн
500+29.79 грн
1000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L055GNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.95 грн
10+63.57 грн
100+42.13 грн
500+30.92 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.