Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4L055GNTCR
RF4L055GNTCR

RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RF4L055GNTCR за ціною від 22.79 грн до 68.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4l055gntcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+39.54 грн
323+37.96 грн
500+36.59 грн
1000+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 30 V
на замовлення 13767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
10+53.29 грн
100+37.32 грн
500+28.70 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L055GNTCR RF4L055GNTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4L055GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 5.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.14 грн
10+61.35 грн
100+37.35 грн
500+29.58 грн
1000+26.86 грн
3000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.