Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4L070BGTCR
RF4L070BGTCR

RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor

rf4l070bgtcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 328 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції RF4L070BGTCR за ціною від 23.91 грн до 136.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor rf4l070bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.50 грн
10+60.24 грн
50+44.88 грн
100+37.45 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 7A
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+107.50 грн
10+49.87 грн
100+38.47 грн
500+30.06 грн
1000+29.76 грн
3000+26.91 грн
6000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor rf4l070bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR ROHM rf4l070bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor rf4l070bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR ROHM rf4l070bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR rf4l070bgtcr-e.pdf
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.50 грн
10+60.24 грн
50+44.88 грн
100+37.45 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L070BGTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 7A
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.50 грн
10+49.87 грн
100+38.47 грн
500+30.06 грн
1000+29.76 грн
3000+26.91 грн
6000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR rf4l070bgtcr-e.pdf
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR rf4l070bgtcr-e.pdf
RF4L070BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR rf4l070bgtcr-e.pdf
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR rf4l070bgtcr-e.pdf
RF4L070BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4L070BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.027 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.