Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4P025ATTCR
RF4P025ATTCR

RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

rf4p025attcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+33.02 грн
373+32.86 грн
500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RF4P025ATTCR за ціною від 16.45 грн до 76.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.03 грн
500+26.41 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : ROHM Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.35 грн
10+48.34 грн
100+28.67 грн
500+24.00 грн
1000+20.98 грн
3000+16.98 грн
6000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.57 грн
17+49.94 грн
100+34.03 грн
500+26.41 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.73 грн
10+46.30 грн
100+30.35 грн
500+22.05 грн
1000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.