Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4P025ATTCR
RF4P025ATTCR

RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

rf4p025attcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1323+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1323 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Інші пропозиції RF4P025ATTCR за ціною від 18.58 грн до 104.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.22 грн
10+48.50 грн
100+31.78 грн
500+23.09 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+87.03 грн
10+39.86 грн
100+30.79 грн
500+23.77 грн
1000+23.26 грн
3000+18.65 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR Rohm Semiconductor rf4p025attcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR RF4P025ATTCR ROHM rf4p025attcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF4P025ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.22 грн
10+48.50 грн
100+31.78 грн
500+23.09 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR datasheet?p=RF4P025AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF4P025ATTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.03 грн
10+39.86 грн
100+30.79 грн
500+23.77 грн
1000+23.26 грн
3000+18.65 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P025ATTCR rf4p025attcr-e.pdf
RF4P025ATTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P025ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.