RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 35.65 грн |
| 417+ | 34.22 грн |
| 500+ | 32.98 грн |
| 1000+ | 30.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.
Інші пропозиції RF4P060BGTCR за ціною від 19.45 грн до 101.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4P060BGTCR | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER MPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF4P060BGTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 7804 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF4P060BGTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | ROHM |
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 89 шт В кошику од. на суму грн. |
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.76 грн |
| 10+ | 49.24 грн |
| 100+ | 32.30 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| 1000+ | 21.28 грн |
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.05 грн |
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.73 грн |
| 10+ | 40.54 грн |
| 100+ | 31.23 грн |
| 500+ | 24.21 грн |
| 1000+ | 23.69 грн |
| 3000+ | 20.48 грн |
| 6000+ | 19.45 грн |
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 101.56 грн |
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RF4P060BGTCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)