Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4P060BGTCR
RF4P060BGTCR

RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor

rf4p060bgtcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RF4P060BGTCR за ціною від 21.38 грн до 100.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
10+49.47 грн
100+32.45 грн
500+23.59 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR Rohm Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor rf4p060bgtcr-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR ROHM rf4p060bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR RF4P060BGTCR ROHM rf4p060bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR rf4p060bgtcr-e.pdf
RF4P060BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.14 грн
10+49.47 грн
100+32.45 грн
500+23.59 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR rf4p060bgtcr-e.pdf
RF4P060BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR rf4p060bgtcr-e.pdf
RF4P060BGTCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 6.0A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR rf4p060bgtcr-e.pdf
RF4P060BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF4P060BGTCR rf4p060bgtcr-e.pdf
RF4P060BGTCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.053 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.