RF4P060BGTCR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.40 грн |
| 500+ | 29.59 грн |
| 1000+ | 23.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4P060BGTCR ROHM
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RF4P060BGTCR за ціною від 21.80 грн до 75.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RF4P060BGTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4P060BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.041 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF4P060BGTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RF4P060BG is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF4P060BGTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RF4P060BGTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin DFN-S T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
RF4P060BGTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |