Продукція > ROHM > RF601BGE2DTL

RF601BGE2DTL ROHM


rf601bge2d-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 930mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+62.42 грн
500+42.85 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF601BGE2DTL ROHM

Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RF601BGE2DTL за ціною від 35.76 грн до 144.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+83.16 грн
100+64.73 грн
500+51.49 грн
1000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Rectifiers Super Fast Recovery Diode
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+53.23 грн
500+42.32 грн
1000+40.11 грн
2500+35.90 грн
5000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL RF601BGE2DTL ROHM rf601bge2d-e.pdf Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 930mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+92.62 грн
100+62.42 грн
500+42.85 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: TO-252GE
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+83.16 грн
100+64.73 грн
500+51.49 грн
1000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL datasheet?p=RF601BGE2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Rectifiers Super Fast Recovery Diode
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+53.23 грн
500+42.32 грн
1000+40.11 грн
2500+35.90 грн
5000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF601BGE2DTL rf601bge2d-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 930mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.97 грн
10+92.62 грн
100+62.42 грн
500+42.85 грн
1000+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.