Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR

RF6C055BCTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF6C055BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+50.07 грн
100+32.84 грн
500+23.87 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF6C055BCTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF6C055BCTCR за ціною від 18.27 грн до 77.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF6C055BCTCR RF6C055BCTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF6C055BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -20V -5.5A Si MOSFET
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.32 грн
10+55.03 грн
100+31.85 грн
500+25.17 грн
1000+22.46 грн
3000+19.38 грн
6000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF6C055BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF6C055BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF6C055BCTCR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF6C055BCTCR RF6C055BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF6C055BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.