RF6E065BNTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.45 грн |
| 6000+ | 16.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF6E065BNTCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 910mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF6E065BNTCR за ціною від 16.89 грн до 82.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RF6E065BNTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 910mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V |
на замовлення 8968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RF6E065BNTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| RF6E065BNTCR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.84 грн |
| 10+ | 43.92 грн |
| 100+ | 29.20 грн |
| 500+ | 21.28 грн |
| 1000+ | 19.25 грн |
| RF6E065BNTCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (4.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.86 грн |
| 10+ | 37.56 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| 500+ | 23.80 грн |
| 1000+ | 20.95 грн |
| 3000+ | 17.42 грн |
| 6000+ | 16.89 грн |


