RF6L025BGTCR

RF6L025BGTCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2.5A, TUMT6, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF6L025BGTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RF6L025BGTCR за ціною від 8.59 грн до 55.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR Виробник : ROHM datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR Виробник : ROHM datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RF6L025BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.48 грн
29+28.40 грн
100+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs SOT363 N CHAN 60V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.29 грн
12+28.95 грн
100+16.44 грн
500+14.60 грн
1000+12.55 грн
3000+9.98 грн
9000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF6L025BGTCR RF6L025BGTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF6L025BG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 2.5A, TUMT6, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.57 грн
10+32.41 грн
25+26.73 грн
100+19.04 грн
250+16.07 грн
500+14.25 грн
1000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.