RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y8LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.71 грн |
| 10+ | 67.05 грн |
| 100+ | 44.58 грн |
| 500+ | 32.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RF7G120BJFRATCR за ціною від 27.15 грн до 120.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF7G120BJFRATCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF7G120BJFRATCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RF7G120BJFRATCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: DFN2020Y8LSAA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |