RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y8LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.63 грн |
| 10+ | 60.28 грн |
| 100+ | 40.08 грн |
| 500+ | 29.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF7G120BJFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RF7G120BJFRATCR за ціною від 23.47 грн до 103.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RF7G120BJFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RF7G120BJFRATCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| RF7G120BJFRATCR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF7G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.049 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 99.87 грн |
| 13+ | 62.66 грн |
| RF7G120BJFRATCR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A
MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.90 грн |
| 10+ | 64.86 грн |
| 100+ | 37.55 грн |
| 500+ | 29.48 грн |
| 1000+ | 26.85 грн |
| 3000+ | 23.47 грн |



