Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF7G120BLFRATCR
RF7G120BLFRATCR

RF7G120BLFRATCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF7G120BLFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF7G120BLFRATCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції RF7G120BLFRATCR за ціною від 35.23 грн до 117.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF7G120BLFRATCR RF7G120BLFRATCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF7G120BLFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.40 грн
10+71.75 грн
50+53.66 грн
100+44.87 грн
500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF7G120BLFRATCR RF7G120BLFRATCR ROHM datasheet?p=RF7G120BLFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF7G120BLFRATCR datasheet?p=RF7G120BLFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF7G120BLFRATCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.40 грн
10+71.75 грн
50+53.66 грн
100+44.87 грн
500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF7G120BLFRATCR datasheet?p=RF7G120BLFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF7G120BLFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.