Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF7L120BJFRATCR
RF7L120BJFRATCR

RF7L120BJFRATCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RF7L120BJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.60 грн
10+68.57 грн
50+51.23 грн
100+42.83 грн
500+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF7L120BJFRATCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF7L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.107 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.

Інші пропозиції RF7L120BJFRATCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF7L120BJFRATCR RF7L120BJFRATCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RF7L120BJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs DFN2020 P-CH 60V 12A
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF7L120BJFRATCR RF7L120BJFRATCR ROHM datasheet?p=RF7L120BJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RF7L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.107 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF7L120BJFRATCR datasheet?p=RF7L120BJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF7L120BJFRATCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 P-CH 60V 12A
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF7L120BJFRATCR datasheet?p=RF7L120BJFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RF7L120BJFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF7L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.107 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.