| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.21 грн |
| 10+ | 59.48 грн |
| 100+ | 46.11 грн |
| 500+ | 36.19 грн |
| 1000+ | 34.45 грн |
| 3000+ | 29.00 грн |
| 9000+ | 28.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF7P120BKFRATCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RF7P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.059 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm.
Інші пропозиції RF7P120BKFRATCR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RF7P120BKFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF7P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.059 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RF7P120BKFRATCR |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF7P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.059 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
Description: ROHM - RF7P120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.059 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)