Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF9G120BJFRATCR
RF9G120BJFRATCR

RF9G120BJFRATCR ROHM Semiconductor

rf9g120bjfratcr-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.76 грн
10+70.34 грн
100+40.45 грн
500+31.96 грн
1000+30.65 грн
3000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9G120BJFRATCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF9G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції RF9G120BJFRATCR за ціною від 31.22 грн до 144.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF9G120BJFRATCR RF9G120BJFRATCR Rohm Semiconductor rf9g120bjfratcr-e.pdf Description: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+73.22 грн
25+61.36 грн
100+44.96 грн
250+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCR RF9G120BJFRATCR ROHM rf9g120bjfratcr-e.pdf Description: ROHM - RF9G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.17 грн
12+69.83 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCR Rohm Semiconductor rf9g120bjfratcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.10 грн
259+54.81 грн
500+52.83 грн
1000+49.28 грн
2500+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCR rf9g120bjfratcr-e.pdf
RF9G120BJFRATCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
10+73.22 грн
25+61.36 грн
100+44.96 грн
250+38.76 грн
500+34.94 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCR rf9g120bjfratcr-e.pdf
RF9G120BJFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.17 грн
12+69.83 грн
100+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9G120BJFRATCR rf9g120bjfratcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+57.10 грн
259+54.81 грн
500+52.83 грн
1000+49.28 грн
2500+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.