RF9G120BKFRATCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF9G120BKFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RF9G120BKFRATCR за ціною від 26.03 грн до 125.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF9G120BKFRATCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RF9G120BKFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RF9G120BKFRATCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| RF9G120BKFRATCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
MOSFETs Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.32 грн |
| 10+ | 62.64 грн |
| 100+ | 42.39 грн |
| 500+ | 35.97 грн |
| 1000+ | 31.48 грн |
| 3000+ | 26.79 грн |
| 9000+ | 26.03 грн |
| RF9G120BKFRATCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF9G120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.0175 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.43 грн |
| 14+ | 59.76 грн |
| 100+ | 39.63 грн |
| RF9G120BKFRATCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 431µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.04 грн |
| 10+ | 74.34 грн |
| 25+ | 62.25 грн |
| 100+ | 45.65 грн |
| 250+ | 39.37 грн |
| 500+ | 35.50 грн |
| 1000+ | 31.73 грн |
| RF9G120BKFRATCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 243+ | 58.33 грн |
| 254+ | 55.99 грн |
| 500+ | 53.97 грн |
| 1000+ | 50.35 грн |
| 2500+ | 45.23 грн |
| RF9G120BKFRATCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)