RF9G120BLFRATCR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF9G120BLFRATCR ROHM
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: DFN2020Y, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RF9G120BLFRATCR за ціною від 45.42 грн до 144.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RF9G120BLFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: DFN2020Y Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
RF9G120BLFRATCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RF9G120BLFRATCR |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.92 грн |
| 12+ | 68.06 грн |
| 100+ | 45.42 грн |
| RF9G120BLFRATCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 144.47 грн |