RF9L120BJFRATCR

RF9L120BJFRATCR Rohm Semiconductor


rf9l120bjfratcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9L120BJFRATCR Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA, Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RF9L120BJFRATCR за ціною від 27.37 грн до 128.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR Виробник : ROHM rf9l120bjfratcr-e.pdf Description: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.76 грн
14+64.81 грн
100+50.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR Виробник : ROHM Semiconductor rf9l120bjfratcr-e.pdf MOSFETs Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.56 грн
10+66.10 грн
100+44.74 грн
500+37.91 грн
1000+33.29 грн
3000+28.21 грн
9000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR Виробник : Rohm Semiconductor rf9l120bjfratcr-e.pdf Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.77 грн
10+76.22 грн
25+63.85 грн
100+46.76 грн
250+40.29 грн
500+36.31 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.