Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF9L120BJFRATCR
RF9L120BJFRATCR

RF9L120BJFRATCR Rohm Semiconductor

rf9l120bjfratcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF9L120BJFRATCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.

Інші пропозиції RF9L120BJFRATCR за ціною від 30.99 грн до 123.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR Rohm Semiconductor rf9l120bjfratcr-e.pdf Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+72.84 грн
25+61.02 грн
100+44.68 грн
250+38.50 грн
500+34.70 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR ROHM Semiconductor rf9l120bjfratcr-e.pdf MOSFETs Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR RF9L120BJFRATCR ROHM rf9l120bjfratcr-e.pdf Description: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR rf9l120bjfratcr-e.pdf
RF9L120BJFRATCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020Y7LSAA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.06 грн
10+72.84 грн
25+61.02 грн
100+44.68 грн
250+38.50 грн
500+34.70 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR rf9l120bjfratcr-e.pdf
RF9L120BJFRATCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF9L120BJFRATCR rf9l120bjfratcr-e.pdf
RF9L120BJFRATCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RF9L120BJFRATCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.